Curriculum

POSIZIONE ATTUALE
 
Professore Associato c/o il Dipartimento di Ingegneria dell’Università degli Studi di Messina.
 
 
CURSUS STUDIOURUM
 
Febbraio 2005: ha conseguito il titolo di Dottore di Ricerca in “Tecnologie Avanzate per l’Ingegneria dell’Informazione” c/o l’Università degli Studi di Messina. Titolo della Tesi: “Design of a Low-Noise Amplifier in CMOS Technology for wireless applications at 2.4 GHz”.
2002 - 2005: Nel Febbraio 2002 è risultata vincitrice, classificandosi al primo posto della graduatoria di merito, del concorso per l’accesso al corso di Dottorato di Ricerca in “Tecnologie Avanzate per l’Ingegneria dell'Informazione” (XVII Ciclo) c/o l’Università degli Studi di Messina.
Aprile 2001 (prolungamento della sessione autunnale dell'A.A. 1999/2000): laurea con Lode in Ingegneria Elettronica presso l’Università degli Studi di Messina con una tesi dal titolo “S.A.M. (Static Analog Memory): teoria e progetto di un nuovo blocco funzionale per applicazioni miste analogico-digitali”.
1994: diploma di maturità scientifica presso il Liceo Scientifico Statale “G. Seguenza” di Messina con la votazione di 60/60.
 
Corsi di specializzazione frequentati:
 
Giugno 2008: “Silicon Processing”, Imec, Leuven, Belgium.
Marzo 2006: “SiP for RF Applications”, Imec, Leuven, Belgium;
Marzo 2006: “Advanced Packaging”, Imec, Leuven, Belgium;
Giugno 2005: “Cadence-based full custom design”, Imec, Leuven, Belgium;
Ottobre 2003: “CMOS Analog Integrated Circuit Design”, tenuto dal Prof. Philip E. Allen (Georgia Institute of Technology) presso l’IRST (Istituto per la Ricerca Scientifica e Tecnologica) di Trento;
 
 
SPECIFICHE ESPERIENZE PROFESSIONALI CARATTERIZZATE DA ATTIVITÀ DI RICERCA ATTINENTI AL SETTORE CONCORSUALE 09/E3:
 
Da Agosto 2005 a Dicembre 2008 è stata titolare di un assegno di ricerca sul tema: “Progettazione di circuiti integrati a radiofrequenza in tecnologia CMOS per applicazioni WLAN” c/o il Dipartimento di Fisica della Materia e Tecnologie Fisiche Avanzate dell’Università degli Studi di Messina.
 
Da Maggio ad Agosto 2005 è stata titolare di un contratto di collaborazione coordinata e continuativa sul tema “Studio di fattibilità di un dispositivo di comunicazione ‘Power Line’ per moduli di potenza ‘Low Cost’” nell’ambito del progetto di ricerca PRIN “Moduli di Potenza Intelligenti per Azionamenti Elettrici Low-Cost”, c/o il Dipartimento di Fisica della Materia e Tecnologie Fisiche Avanzate dell’Università degli Studi di Messina.
 
Da Maggio a Novembre 2001 è stata titolare di un contratto stipulato con il Dipartimento di Ingegneria dell’Informazione dell’Università di Pisa, nell’ambito del Progetto Finalizzato MADESS II finanziato dal CNR: “Realizzazione e collaudo di strumentazione per lo studio dell’affidabilità e dei meccanismi di guasto di dispositivi e materiali per la microelettronica”.
 
ALTRI TITOLI
 
Nel periodo Gennaio-Marzo 2022 è stata Visiting Professor alla Gdansk University of Technology, nell’ambito del progetto "Integrated Development Program of the Gdańsk University of Technology”.
 
Nel Marzo 2018 ha conseguito l’Abilitazione Scientifica Nazionale per l’insegnamento di seconda fascia, settore concorsuale 09/E3, elettronica.
 
Nel Marzo 2008 è risultata vincitrice di un concorso a posti di ricercatore per il SSD ING-INF/01 (Elettronica) presso l’Università degli Studi di Messina.
 
Abilitazione alla professione di Ingegnere presso l’Università degli Studi di Messina (sessione di Novembre 2002).
 
 
ATTIVITÀ DIDATTICA
 
Titolarità di Corsi
 
Ruolo:            Professore a Contratto presso l’Università di Messina
 
Dall’ AA 05/06 all’AA 08/09:           Elettronica II (6 CFU)
                                                           (Corso di Laurea in Ingegneria Elettronica)
 
 
Ruolo:            Ricercatore Universitario presso l’Università di Messina
 
AA 08/09:       Microelettronica I (6 CFU)
                        (Corso di Laurea Magistrale in Ingegneria Elettronica)
 
AA 09/10:       Microelettronica I (6 CFU)
                        (Corso di Laurea Magistrale in Ingegneria Elettronica)
Microelettronica II (3 CFU)
                        (Corso di Laurea Magistrale in Ingegneria Elettronica)
                        Elettronica II (6 CFU)
                        (Corso di Laurea in Ingegneria Elettronica)
 
AA 10/11:       Microelettronica I (6 CFU)
                        (Corso di Laurea Magistrale in Ingegneria Elettronica)
Microelettronica II (3 CFU)
                        (Corso di Laurea Magistrale in Ingegneria Elettronica)
                        Elettronica II (6 CFU)
                        (Corso di Laurea in Ingegneria Elettronica)
 
AA 11/12:       Microelettronica (12 CFU)
                        (Corso di Laurea Magistrale in Ingegneria Elettronica)
Elettronica II e Laboratorio (Mod. Elettronica II)(6 CFU)
                        (Corso di Laurea in Ingegneria Elettronica e Informatica)
 
AA 12/13:       Microelettronica (12 CFU)
                        (Corso di Laurea Magistrale in Ingegneria Elettronica)
Elettronica dei Sistemi digitali e Elettronica II (Mod. Elettronica II)(6 CFU)
                        (Corso di Laurea in Ingegneria Elettronica e Informatica)
 
AA 13/14:       Microelettronica (12 CFU)
                        (Corso di Laurea Magistrale in Ingegneria Elettronica)
Elettronica dei Sistemi digitali e Elettronica II (Mod. Elettronica II)(6 CFU)
                        (Corso di Laurea in Ingegneria Elettronica e Informatica)
 
AA 14/15:       Elettronica dei Sistemi digitali e Elettronica II (Mod. Elettronica II)(6 CFU)
                        (Corso di Laurea in Ingegneria Elettronica e Informatica)
 
AA 15/16:       Elettronica dei Sistemi digitali e Elettronica II (Mod. Elettronica II)(6 CFU)
             (Corso di Laurea in Ingegneria Elettronica e Informatica)
 
AA 16/17:       Elettronica dei Sistemi digitali e Elettronica II (Mod. Elettronica II)(6 CFU)
            (Corso di Laurea in Ingegneria Elettronica e Informatica)
 
AA 17/18:       Elettronica dei Sistemi digitali e Elettronica II (12 CFU)
(Corso di Laurea in Ingegneria Elettronica e Informatica)
 
AA 18/19:       Elettronica dei Sistemi digitali e Elettronica II (12 CFU)
(Corso di Laurea in Ingegneria Elettronica e Informatica)
 
AA 19/20:       Elettronica dei Sistemi digitali e Elettronica II (12 CFU)
(Corso di Laurea in Ingegneria Elettronica e Informatica)
 
AA 20/21:       Elettronica dei Sistemi digitali e Elettronica II (12 CFU)
(Corso di Laurea in Ingegneria Elettronica e Informatica)
                        Elettronica di Front End (6 CFU)
(Corso di Laurea Magistrale in Ingegneria Elettronica per l’Industria)
AA 21/22:       Elettronica dei Sistemi digitali e Elettronica II (12 CFU)
(Corso di Laurea in Ingegneria Elettronica e Informatica)
                       
Ruolo:            Professore Associato presso l’Università di Messina
 
AA 21/22:       Elettronica di Front End (6 CFU)
(Corso di Laurea Magistrale in Ingegneria Elettronica per l’Industria)
 
 
 
Altre attività didattiche
 
AA 21/22:       Docente del corso di dottorato “Advanced Electronic Circuits”, in qualità di Visiting Professor alla Gdansk University of Technology.
 
AA 07/08:       Docente del modulo “Strumentazione Elettronica” nell’ambito del master in “Meccatronica per le nuove attività produttive – MECAP”, svoltosi presso l’Università degli Studi di Messina.
AA 07/08:       Docente del modulo “Laboratorio didattico di Elettronica Analogica e Digitale”, previsto al secondo semestre del secondo anno della Scuola di Specializzazione Interuniversitaria Siciliana per l’insegnamento secondario – sezione di Messina - Cl. 34 A.
 
È stata membro del Collegio dei Docenti del corso di Dottorato di Ricerca in “Tecnologie Avanzate per l’Optoelettronica e la Fotonica e Modellizzazione Elettromagnetica” dell’Università di Messina, Cicli XXVII e XXVIII.
 
È stata relatrice di circa 80 tesi di Laurea (Laurea e Laurea Magistrale in Ingegneria Elettronica, Laurea in Ingegneria Elettronica e Informatica).
 
 
ATTIVITÀ SCIENTIFICA
 
L’attività scientifica si è sviluppata prevalentemente sui seguenti temi di ricerca:
 
1) Metodi e strumentazione per la caratterizzazione dell'affidabilità di dispositivi microelettronici;
2) Progettazione e realizzazione di strumentazione a bassissimo livello di rumore;
3) Metodologie di progetto e realizzazione di SAM (Static Analog Memories) a basso costo ed alta precisione;
4) Progettazione di circuiti integrati in tecnologia bipolare e CMOS per applicazioni a RF.
5) Sviluppo e caratterizzazione di sensori.
 
 

• Metodi e strumentazione per la caratterizzazione dell’affidabilità di dispositivi microelettronici.

 
La ricerca svolta in questo ambito ha riguardato il progetto e la realizzazione di un sistema innovativo per la valutazione dell’affidabilità di metallizzazioni in rame spesso. Questa attività, svolta in collaborazione con la ST-Microelectronics (sede di Castelletto), rispondeva all’esigenza di superare le limitazioni di sistemi di test convenzionali che non consentivano, nel caso specifico di metallizzazioni in rame spesso, di rispettare le condizioni di temperatura e corrente di stress costanti per tutti i campioni. La soluzione è stata individuata in un metodo di compensazione dell’autoriscaldamento, reso possibile dall’uso di una singola unità termica per ogni campione e dal monitoraggio in tempo reale della potenza dissipata da ciascun campione. I risultati sperimentali ottenuti hanno dimostrato la validità dell’approccio proposto e l’apparato realizzato consentirà in futuro di eseguire l’accurata caratterizzazione di sistemi di metallizzazione in rame spesso, altrimenti impossibile con la strumentazione disponibile commercialmente.
 

• Progettazione e realizzazione di strumentazione a bassissimo livello di rumore.

 
Nell’ambito di questo ramo di ricerca, l’attenzione è stata rivolta alla progettazione e alla realizzazione di strumentazione destinata ad effettuare misure di rumore ad elevata sensibilità, con particolare riferimento alle possibili applicazioni nel campo della caratterizzazione della qualità e dell’affidabilità dei dispositivi microelettronici. Sebbene le grandi potenzialità delle tecniche di caratterizzazione della qualità e dell’affidabilità di dispositivi microelettronici che si basano sull’analisi del rumore prodotto in condizioni di polarizzazione opportune siano universalmente riconosciute, molto spesso non è possibile reperire sul mercato strumenti caratterizzati da prestazioni sufficienti a garantire la sensibilità necessaria in questo tipo di applicazioni.
E’ stato pertanto affrontato il problema del progetto, della realizzazione e della verifica delle prestazioni di un Ultra Low Noise Amplifier single ended e, successivamente, ne è stata realizzata la versione differenziale.
In molti casi, le tecniche di indagine attualmente impiegate presuppongono la disponibilità di dispositivi incapsulati, limitando di fatto una più vasta diffusione di queste tecniche di indagine in quanto le industrie produttrici di circuiti integrati non sono generalmente disponibili a fornire dispositivi incapsulati per i costi aggiuntivi che questa operazione comporta.
E’ stato pertanto affrontato il problema del progetto, della realizzazione e della verifica delle prestazioni di una micro-probe station che rende possibili misure di rumore ad alta sensibilità su dispositivi disponibili a livello di wafer. Il sistema realizzato comprende una parte meccanica (Probe Station) e una parte elettronica (sistemi di polarizzazione e preamplificatori di misura) congiuntamente ottimizzati per raggiungere livelli di sensibilità e di schermatura dalle interferenze esterne comparabili con analoghi sistemi per la caratterizzazione di dispositivi incapsulati. Questo nuovo strumento di misura, realizzato nell’ambito di un’attività di ricerca svolta in collaborazione con la ST-Microelectronics (sede di Catania), potrà consentire di estendere le potenzialità offerte dalle tecniche di misura del rumore in bassa frequenza per la valutazione della qualità degli ossidi ultrasottili in circuiti integrati di nuova generazione.
E’ stata sviluppata una nuova topologia di amplificatori transresistivi a bassissimo livello di rumore e a larga banda. Essa consente di superare le limitazioni tipiche delle configurazioni convenzionali basate sull’impiego di un amplificatore operazionale in configurazione di reazione tensione parallelo. Nel caso delle topologie convenzionali si impiega una resistenza elevata per realizzare la reazione tensione parallelo che consente di ottenere un elevato valore del rapporto segnale rumore in uscita. Infatti il rapporto segnale utile/rumore in uscita risulta inversamente proporzionale al valore della resistenza di reazione. Tuttavia, l’inevitabile presenza della capacità parassita in parallelo a tale resistenza limita la banda dell’amplificatore (pochi Hz o poche decine di Hz nel caso di una resistenza di reazione di 1 GW), ben al di sotto delle potenzialità intrinseche dei migliori amplificatori operazionali attualmente disponibili sul mercato. Sostituendo il bipolo di reazione con un condensatore (intrinsecamente non rumoroso) e introducendo opportune modifiche circuitali, è possibile estendere considerevolmente la banda dell’amplificatore, a parità di rumore di fondo, rispetto alle configurazioni convenzionali. Le potenzialità della nuova topologia sono state verificate e confermate sperimentalmente.
E’ stato affrontato il problema della realizzazione di riferimenti di tensione ad alta stabilità e a bassissimo livello di rumore, giacché le fluttuazioni introdotte dai sistemi di polarizzazione del DUT possono risultare in molti casi il fattore limitante in misure di rumore ad alta sensibilità. Fra i risultati conseguiti in questo ambito si può citare la realizzazione di un riferimento di tensione a bassissimo livello di rumore e alta stabilità che sfrutta le caratteristiche non linearità di diodi a giunzione PN. E’ stata inoltre investigata la possibilità di ottimizzare le prestazioni dei sistemi di BIAS mediante l’impiego di supercondensatori.
E’ stata sviluppata una tecnica di misura che, a partire dalla stima dello spettro di rumore prodotto da una sorgente di tensione o corrente, consente di stimare il massimo grado di stabilità ottenibile, inteso come la varianza del valore della tensione o corrente di uscita in misure effettuate con tempo di media pari a t e ripetute a intervalli di tempo regolari di durata DT.
E’ stata sviluppata una nuova tecnica di misura a correlazione che, mediante l’impiego di quattro canali di misura, consente di stimare il rumore di corrente prodotto da un bipolo eliminando, in linea di principio, l’effetto di ogni altra sorgente di rumore presente nel circuito di misura. Il nuovo sistema, realizzato e verificato sperimentalmente, consente di superare le limitazioni dei metodi di correlazione basati sull’impiego di due canali e permette di raggiungere stime corrette del rumore prodotto dal campione in condizioni nelle quali i metodi di misura convenzionali non possono essere utilizzati. In particolare è stato dimostrato che, in opportune condizioni e con un’appropriata elaborazione dei segnali acquisiti, i contributi di rumore provenienti dai dispositivi attivi e passivi che compongono l’amplificatore transresistivo possono essere completamente eliminati. Il metodo è stato applicato all’implementazione di un misuratore di impedenza basato esclusivamente su  misure di rumore che presenta dei vantaggi rispetto ai classici misuratori di impedenza (assenza di stimolo e grafico dell’impedenza in tempo reale in tutto lo spettro di frequenza).
E’ stato progettato, realizzato e collaudato un microvoltmetro per misure ad alta sensibilità basato su un nuovo sistema di correzione dell’offset. Il vantaggio principale di questo circuito è che la correzione dell’offset può essere eseguita continuamente, con il segnale di ingresso applicato. Infatti la presenza del segnale di ingresso non influenza il funzionamento del sistema di controllo. Inoltre la realizzazione del circuito richiede l’impiego di componenti standard a basso costo e non è necessaria alcuna fase di calibrazione per il corretto funzionamento della procedura di correzione dell’offset.
E’ stato sviluppato un nuovo approccio per la misura della temperatura a partire dal rumore termico prodotto da un bipolo elettrico che,  rispetto alla termometria Johnson, presenta il vantaggio di non necessitare di una misura indipendente della resistenza  del bipolo stesso.
 
 
 

• Metodologie di progetto e realizzazione di SAM a basso costo ed alta precisione.

 
Una SAM è un elemento di memoria permanente per segnali analogici, ovvero un circuito che si comporta come un Sample & Hold ma intrinsecamente immune dai fenomeni di deriva che affliggono questi ultimi. E’ stata affrontata la possibilità di realizzare una SAM in forma integrata sfruttando la struttura di un convertitore AD ad approssimazioni successive modificando la struttura di una rete a scala R-2R in una rete R-bR. In particolare si è dimostrato che l’accuratezza raggiungibile è limitata esclusivamente dal massimo valore positivo della non linearità differenziale del convertitore DA facente parte del convertitore AD ad approssimazioni successive. In altre parole, se si è in grado di garantire bassi valori positivi della DNL, sia grandi errori di non linearità integrale, sia grandi valori di non linearità differenziale negativa non sono assolutamente influenti ai fini dell’accuratezza raggiungibile. E’ stato dimostrato che, scegliendo un opportuno valore di b, si possono realizzare convertitori DA con bassissimo valore di DNL positiva anche ricorrendo all’impiego di componenti con elevate tolleranze e quindi a basso costo. La ricerca in questo campo è stata inoltre estesa alla possibilità di realizzare SAM ad alta precisione mediante l’opportuna combinazione di convertitori DA standard a bassa accuratezza e basso costo, ottenendo risultati nuovi e significativi.
Si è dimostrata inoltre la possibilità di realizzare convertitori AD e DA ad elevata accuratezza e a basso costo sfruttando le proprietà delle reti a scala R-bR. In particolare è stato sviluppato un semplice algoritmo di calibrazione che consente di ottenere alta accuratezza anche nel caso in cui le resistenze della rete a scala presentino elevati valori di tolleranza.
 
 
 

• Progettazione di circuiti integrati in tecnologia bipolare e CMOS per applicazioni a RF

 
Nell’ambito di questa attività di ricerca è stato realizzato un Low Noise Amplifier selettivo nella banda degli 1.8 GHz in tecnologia bipolare effettuando una compensazione delle variazioni di temperatura auto-adattativa, mediante l’uso di una cella di Widlar, che consente di polarizzare l’intero circuito con correnti PTAT (Proportional To Absolute Temperature) in modo da stabilizzare la transconduttanza dei transistori ottenendo una risposta del sistema poco sensibile alle variazioni di temperatura.
E’ stato progettato e realizzato un mixer ad alta reiezione di immagine nella banda dei 5.25 GHz.
E’ stata affrontata la progettazione di un prototipo di LNA selettivo a 2.4 GHz basato sulla tecnica di induttanze attive a trasformatore in tecnologia CMOS (AMS a 0.35 mm). Per garantire un’elevata selettività del circuito, particolare attenzione è stata rivolta alla realizzazione della rete di uscita. E’ quindi stato condotto uno studio accurato sulle diverse possibilità di implementazione dell’induttanza di carico, principale responsabile del fattore di merito Q del carico stesso. In particolare è stata sviluppata una nuova configurazione di induttanza attiva che consente di adattare la tecnica del Boot-Strapped Inductor, sviluppata per tecnologie bipolari, alle tecnologie CMOS. Tale tecnica sfrutta l’accoppiamento magnetico tra gli avvolgimenti di un trasformatore integrato e l’amplificazione di corrente dovuta agli elementi attivi presenti nel circuito. Con le innovazioni proposte si riesce ad ottenere un elevato Q con un modesto consumo di potenza. Il lavoro svolto in questo ambito è stato presentato nel Luglio 2005 alla conferenza internazionale PhD Research in Microelectronics and Electronics 2005 (PRIME2005), ed è stato premiato come uno dei migliori articoli (“Bronze Leaf Certificate”) presentati alla conferenza. Il progetto, ottimizzato inizialmente per applicazioni wireless a 2.4 GHz, è stato poi rivisitato per applicazioni nella banda dei 5-6 GHz.
 

• Sviluppo e caratterizzazione di sensori

 
Nell’ambito di questa attività sono stati sviluppati sensori di gas, umidità e temperatura, applicati su substrato flessibile. In particolare, array di elettrodi interdigitati per sensori resistivi, serpentine riscaldanti e resistenze calibrate per la determinazione della temperatura sono stati ottenuti mediante etching chimico locale su film metallici (rame e alluminio) depositati su trasparenze per stampante laser. Tale procedura, evitando il ricorso a mascheratura, coating con phtotoresist ed esposizione ad UV ha consentito di ottimizzare il processo alla base della realizzazione di sensori in termini di tempo, costo, semplicità ed ecocompatibilità. In alternativa, allo scopo di realizzare reti di elettrodi interdigitati per applicazioni sensoristiche, si è fatto uso di inchiostri conduttivi con bassa temperatura di processing, applicati al substrato mediante tecniche di direct printing. I pattern conduttivi realizzati sono stati caratterizzati mediante analisi morfologico-strutturale, prendendo in considerazione i fenomeni di degradamento conseguenti all’invecchiamento in atmosfera non controllata. Il comportamento elettrico delle tracce conduttrici al variare della temperatura è analizzato mediante un set-up di misura per test MTF. Sono stati realizzati prototipi di sensori di gas (ammoniaca) e temperatura, integrati su substrato flessibile dotato di elemento riscaldante. I sensori sono stati caratterizzati dal punto di vista ottico ed elettrico e calibrati avvalendosi di un impianto costituito da un insieme di flussimetri per la gestione di flussi di aria secca e umida, da tubi a permeazione contenenti il gas target e da un misuratore di umidità e temperatura, mediante il quale i campioni sono stati esposti a concentrazioni note di ammoniaca, nel range del ppm, in condizioni di temperatura ed umidità controllata. I risultati hanno mostrato che i sensori sviluppati mostrano risposta riproducibile e lineare e sono in grado di avvertire la presenza del target nell’intervallo compreso tra frazioni e decine di ppm, con sensibilità dell’ordine dell’1% per ppm.
 
Progetti di Ricerca
 

• Partecipazione al progetto “TETI - TEcnologie innovative per ilcontrollo, il moniToraggio e la sIcurezza in mare” -PON “Ricerca e Innovazione” 2014 –2020.
• Partecipazione al progetto “NAUSICA – NAvi efficienti tramite l’Utilizzo di Soluzioni tecnologiche innovative e low Carbon” - PON “Ricerca e Innovazione” 2014 – 2020.
• Partecipazione al progetto “Elettronica su plastica per sistemi ‘Smart Disposable’ –PLAST_Ics”, nell’ambito del PON 2007 – 2013.
• Partecipazione al progetto “RESET - Rete di laboratori per la Sicurezza, sostenibilità ed Efficienza dei Trasporti della regione siciliana” - PO FESR Sicilia 2007-2013.
• Partecipazione al Programma di Ricerca (PRA 2008/09) finanziato dall’Ateneo di Messina sul tema “Progetto di strumentazione a basso rumore e elevata accuratezza per la caratterizzazione di dispositivi elettronici”;  
• Responsabile scientifico del “Progetto di Ricerca Giovani Ricercatori Anno 2002” sul tema “S.A.M.(Static Analog Memory):progetto di un nuovo blocco funzionale per applicazioni miste analogico-digitali”.

 
 
 
Responsabilità di studi e ricerche scientifiche affidati da qualificate istituzioni pubbliche o
Private:
 
Responsabilità dell'attività di ricerca "Modeling, measuring, and Optimizing noise behavior of front-end amplifiers for biomedical applications", conferita dall' "Instituto de Investigacion Tecnologica" dell'Università Pontificia Comillas, Madrid, Spagna (dal 06-02-2017 a oggi).
Responsabilità dell'attività di ricerca su misure di rumore a bassa frequenza su nano-interconnessioni ad alte temperature, conferita dall' IMEC (Interuniversity MicroElectronics Center), Leuven, Belgio (dal 25-01-2017 a 25-01-2021).
Responsabilità dell'attività di Ricerca sul "Rilevamento dei raggi cosmici mediante array di antenne" conferita dall'Istituto Nazionale di Fisica Nucleare (INFN) (dal 2002 al 2003).
 
Direzione o partecipazione alle attività di un gruppo di ricerca caratterizzato da
collaborazioni a livello nazionale o internazionale:
 
Collaborazione con il Prof. Janusz Smulko, Gdansk University of Technology, e con il Prof. Laszlo B. Kish, Texas A&M University sul tema “Fluctuation Enhanced Sensing”. La collaborazione ha prodotto una special issue dal titolo “Fluctuation Enhanced Sensing”, pubblicata sulla rivista Journal of Sensors, Hindawi, di cui Graziella Scandurra è stata Lead Guest Editor, e le pubblicazioni:
[1] G. Scandurra, J. Smulko, L. B. Kish, "Fluctuation-Enhanced Sensing", Journal of Sensors, vol. 2020, 2020. https://doi.org/10.1155/2020/6108347
[2] G. Scandurra, J. Smulko, L. B. Kish, “Fluctuation-Enhanced Sensing (FES): A Promising Sensing Technique”, Appl. Sci. 2020, 10, 5818.
 
Collaborazione con l’Universidad Pontificia, Comillas, di Madrid su temi di ricerca relativi alla Bioingegneria. La collaborazione ha prodotto le pubblicazioni:
[1] Alonso Rivas, E.; Scandurra, G.; Ciofi, C.; Rodríguez-Morcillo García , C.; Giannetti, R. A Novel Approach for the Design of Fast-Settling Amplifiers for Biosignal Detection. Electronics 2021, 10, 2631. https://doi.org/10.3390/electronics10212631.
[2] Scandurra, G.; Cardillo, E.; Giusi, G.; Ciofi, C.; Alonso, E.; Giannetti, R. Portable Knee Health Monitoring System by Impedance Spectroscopy Based on Audio-Board. Electronics 2021, 10, 460. https://doi.org/10.3390/electronics10040460.
 
Collaborazione con l’Institute of Optoelectronics, Military University of Technology, Warsaw, Poland, sull’applicazione delle misure di rumore per la caratterizzazione di dispositivi ottici. La collaborazione ha prodotto la pubblicazione:
[1]  Krzysztof Achtenberg, Janusz Mikołajczyk, Carmine Ciofi, Graziella Scandurra, Zbigniew Bielecki, Transformer-based low frequency noise measurement system for the investigation of infrared detectors’ noise, Measurement, Volume 190, 2022, 110657.
[2] Krzysztof Achtenberg, Janusz Mikołajczyk, Carmine Ciofi, Graziella Scandurra, Krystian Michalczewski, Zbigniew Bielecki, Low-frequency noise measurements of IR photodetectors with voltage cross correlation system, Measurement, Volume 183, 2021, 109867.
[3] Achtenberg, K.; Mikołajczyk, J.; Ciofi, C.; Scandurra, G.; Bielecki, Z. Low-Noise Programmable Voltage Source. Electronics 2020, 9, 1245.
 
Collaborazione con il Dipartimento di Elettronica, Informazione e Bioingegneria, Politecnico di Milano. La collaborazione ha prodotto le pubblicazioni:
[1] M. Carminati and G. Scandurra , "Advances in measurements and instrumentation leveraging embedded systems", Review of Scientific Instruments 92, 121601 (2021).
[2] M. Carminati and G. Scandurra , "Impact and trends in embedding field programmable gate arrays and microcontrollers in scientific instrumentation", Review of Scientific Instruments 92, 091501 (2021).
 
Collaborazione con il dipartimento MIFT dell’Università degli Studi di Messina. La collaborazione ha prodotto le pubblicazioni:
[1] Conti Nibali, V.; D’Angelo, G.; Arena, A.; Ciofi, C.; Scandurra, G.; Branca, C. TiO2 Nanoparticles Dispersion in Block-Copolymer Aqueous Solutions: Nanoarchitectonics for Self-Assembly and Aggregation. J. Funct. Biomater. 2022, 13, 39.
[2] Arena A, Branca C, Ciofi C, D’Angelo G, Romano V, Scandurra G. Polypyrrole and Graphene Nanoplatelets Inks as Electrodes for Flexible Solid-State Supercapacitor. Nanomaterials. 2021; 11(10):2589.
[3] A. Arena, C. Branca, C. Ciofi, G. D’Angelo and G. Scandurra, "Development, Characterization and Sensing Properties of Graphene Films Deposited From Platelets Mixed With Dodecyl Benzene Sulfonic Acid," in IEEE Sensors Journal, vol. 21, no. 1, pp. 394-402, 1 Jan.1, 2021, doi: 10.1109/JSEN.2020.3012725.
 
Collaborazione con l’IMEC, Leuven, Belgio. La collaborazione ha prodotto la pubblicazione:
[1] Scandurra, G.; Beyne, S.; Giusi, G.; Ciofi, C. On the design of an automated system for the characterization of the electromigration performance of advanced interconnects by means of low-frequency noise measurements. Metrol. Meas. Syst. 2019, 26, 13–21.
 
Collaborazione con la Stmicroelectronics, Cornaredo, Milano, sulla caratterizzazione del fenomeno dell'elettromigrazione in circuiti integrati mediante test MTF. La collaborazione ha prodotto la pubblicazione:
[1] G.Scandurra, C.Ciofi, C.Pace, F.Speroni, F.Alagi, “True constant temperature MTF test system for the characterization of electromigration of thick Cu interconnection lines”, Microelectronics Reliability, Volume 42, 2002 Page(s): 1347-1351.
 
Collaborazione con il Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione: Elettronica, Informatica e Telecomunicazioni dell'Università di Pisa sul progetto di circuiti integrati per applicazioni a Radio
Frequenza. La collaborazione ha prodotto le pubblicazioni:
[1] D. Zito, L. Fanucci, B. Neri, S. Di Pascoli, G. Scandurra, “Single Chip 1.8 GHz Band Pass LNA
with Temperature Self-Compensation”, IEEE International Symposium on Signals, Circuits &
Systems, Iasi, Romania, 10-11 July 2003, Volume 1, Page(s): 121-124.
[2] L. Fanucci, E. Greco, N. Nardini, B. Neri, D. Zito, G. Scandurra, “5.25 GHz fully integrated
heterodyne down-converter with hi-image rejection”, International Conference on Signals and
electronic Systems, ICSES'04, Poznan, Poland, 13-15 September 2004.
[3] G. Scandurra, C. Ciofi, D. Zito, “A new topology for transformer based CMOS active inductances”, PhD Research in Microelectronics and Electronics, PRIME ’05, Lausanne, Switzerland, 25-28 July 2005, Volume 1, Page(s): 27 – 30.
[4] D. Zito, D. Pepe, B. Neri, G. Scandurra, “Modeling and Design of the CMOS Boot-Strapped Inductor for 5-6 GHz Applications”, International Conference on Electronics Circuits and Systems,
ICECS ’06, Nice, France, December 10-13 2006.
[5] G. Scandurra, C.Ciofi, B. Neri, D. Zito, “Modified CMOS Boot-Strapped Inductor”, International Journal of Circuit Theory and Applications, Wiley, Volume 35, Issue 4, July/August 2007 Page(s): 391-404.
 
Collaborazione con il Dipartimento di Scienze Chimiche dell'Università di Messina sul tema delle
applicazioni dell'elettronica alla sicurezza alimentare. La collaborazione ha prodotto la pubblicazione:
[1] G. Scandurra, G. Tripodi, A. Verzera, “Impedance spectroscopy for rapid determination of honey floral origin”, Journal of Food Engineering, Vol. 119, Issue 4, December 2013, pp. 738 - 743
 
Collaborazione con l’IMM-CNR di Roma, Italia, nell’ambito del progetto "Elettronica su plastica
per sistemi Smart disposable". La collaborazione ha prodotto le pubblicazioni:
[1] Giusi G., Giordano O., Scandurra G., Ciofi C., Rapisarda M., Calvi S., “Automatic
measurement system for the DC and low-f noise characterization of FETs at wafer level”, IEEE
I2MTC Proceedings, Pisa, Italy, 11-14 May 2015, Page(s) 2095-2100
[2] Francesco Maita, Luca Maiolo, Antonio Minotti, Alessandro Pecora, Davide Ricci, Giorgio
Metta, Graziella Scandurra, Gino Giusi, Carmine Ciofi, and Guglielmo Fortunato,"Ultra-flexible
Tactile Piezoelectric Sensor Based On Low-temperature Polycrystalline Silicon Thin Film
Transistor Technology", IEEE Sensors Journal, 15 (7), Page(s): 3819 - 3826
[3] Gino Giusi, Orazio Giordano, Graziella Scandurra, Sabrina Calvi, Guglielmo Fortunato, Matteo
Rapisarda, Luigi Mariucci, and Carmine Ciofi, "Evidence of Correlated Mobility Fluctuations in
Organic p-type Thin Film Transistors", IEEE Electron Device Letters, 36 (4), Page(s): 390 – 392
[4] G. Giusi, O. Giordano, G. Scandurra, S. Calvi, G. Fortunato, M. Rapisarda, L. Mariucci, and C.
Ciofi, “Correlated Mobility Fluctuations and Contact Effects in p-Type Organic Thin-Film
Transistors”, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 63, NO. 3, MARCH 2016
[5] G.Giusi, O.Giordano, G.Scandurra, M.Rapisarda, S.Calvi, andC.Ciofi, “High sensitivity
measurement system for the direct-current, capacitance-voltage, and gate-drain low frequency
noise characterization of field effect transistors”, Review of Scientific Instruments 87, 044702
(2016)
[6] Gino Giusi, Graziella Scandurra, Sabrina Calvi, Guglielmo Fortunato, Matteo Rapisarda, Luigi
Mariucci, and Carmine Ciofi, “Investigation of Gate Direct-Current and Fluctuations in Organic
p-Type Thin-Film Transistors”, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, VOL. 37, NO. 12,
DECEMBER 2016
 
Collaborazione scientifica con il "Department of Material and Life Science", Osaka University,
Japan e con il CNR SPIN dell'Università di Napoli, sullo studio di transistori organici. La
collaborazione ha prodotto le pubblicazioni:
[1] G. Giusi, E. Sarnelli, M. Barra, A. Cassinese, G. Scandurra, K. Nakayama and C. Ciofi, "Low
Frequency Noise Measurements in p-type Metal-Base Vertical Organic Transistors " , IEEE
proceedings, 2017 International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF) .
[2] G. Giusi, E. Sarnelli, M. Barra, A. Cassinese, G. Scandurra, K. Nakayama, and C. Ciofi,
"Investigation on the Conduction Mechanisms in Metal-Base Vertical Organic Transistors by DC
and LF-Noise Measurements ", IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 64,
NO. 10, OCTOBER 2017.
 
Organizzazione o partecipazione come relatore a convegni di carattere scientifico in Italia
o all'estero

• Partecipazione come relatore alla Conferenza Internazionale PRIME 2005 (PhD Research in Microelectronics and Electronics, 2005), tenutasi a Losanna, Svizzera, per la presentazione del lavoro "A new topology for transformer based CMOS active inductances", di G. Scandurra; C. Ciofi; D. Zito. Il lavoro è stato premiato con il "Bronze Leaf Certificate" (su 111 lavori ammessi alla conferenza) (dal 25-07-2005 al 28-07-2005)
• Partecipazione come relatore alla Conferenza Internazionale 5th WSEAS International Conference on MICROELECTRONICS, NANOELECTRONICS, OPTOELECTRONICS (MINO '06), tenutasi a Praga, Repubblica Ceca, per la presentazione del lavoro "Design of Transformer Based CMOS Active Inductances", di G. Scandurra e C. Ciofi (dal 12-03-2006 al 14-03-2006)
• Partecipazione come relatore alla Conferenza Internazionale ICNF 2011 (International Conference on Noise and Fluctuation 2011), tenutasi a Toronto, Canada, per la presentazione del lavoro "Impedance meter based on cross-correlation noise measurements " di G. Scandurra e C. Ciofi dal 12-06-2011 al 16-06-2011
• Partecipazione come relatore alla Conferenza Internazionale I2MTC 2012 (International Instrumentation and Measurement Technology Conference 2012), tenutasi a Graz, Austria, per la presentazione del lavoro "Multi-channel cross-correlation for increasing sensitivity in voltage noise measurements" di G. Scandurra e C. Ciofi dal 13-05-2012 al 16-05-2012
• Partecipazione come Session Chair per la sessione "Temperature Measurement" alla Conferenza Internazionale I2MTC 2012 (International Instrumentation and Measurement Technology Conference 2012), tenutasi a Graz, Austria dal 13-05-2012 al 16-05-2012
• Partecipazione come relatore alla Conferenza Internazionale I2MTC 2017 (International Instrumentation and Measurement Technology Conference 2017), tenutasi a Torino, per la presentazione del lavoro "Low-frequency spectral estimation (f<1 Hz) employing PC soundcards" di G. Scandurra; G. Giusi; G. Cannatà; C. Ciofi dal 22-05-2017 al 25-05-2017
• Partecipazione come relatore alla Conferenza Internazionale ICNF 2017 (International Conference on Noise and Fluctuation 2017), tenutasi a Vilnius, Lituania, per la presentazione del lavoro "A new approach to DC removal in high gain, low noise voltage amplifiers" di G.Scandurra; G. Cannatà; G. Giusi; C. Ciofi dal 20-06-2017 al 23-06-2017
• Partecipazione al Technical Committee per la Conferenza Internazionale UPoN (International Conference on Unsolved Problems on Noise), tenutasi a Gdańsk, Polonia, dal 9-13 Luglio 2018.
• Partecipazione come relatore alla Conferenza Internazionale UPoN (International Conference on Unsolved Problems on Noise), tenutasi a Gdańsk, Polonia, per la presentazione del lavoro “On the design of an automated system for the characterization of the electromigration performance of advanced interconnects by means of low-frequency noise measurements” 9-13 Luglio 2018
• Partecipazione come relatore alla Conferenza Internazionale I2MTC 2019 (International Instrumentation and Measurement Technology Conference 2019), tenutasi a Auckland, Nuova Zelanda, per la presentazione del lavoro “A programmable bias current compensation approach in current noise measurement applications”, dal 20-23 May 2019

 
ATTIVITÀ DI ORGANIZZAZIONE, GESTIONE E COORDINAMENTO:

• Ha fatto parte della Commissione Nazionale per la Promozione dell’Elettronica, nominata dal Consiglio Scientifico del Gruppo Elettronica Nazionale nel 2009.
• Ha fatto parte della Commissione Paritetica Docenti/Studenti, per il triennio 2013-2015, del Dipartimento di Ingegneria Elettronica, Chimica e Ingegneria Industriale dell’Università degli studi di Messina.
• Ha fatto parte del Gruppo AQ (Assessment of Quality) del Corso di Laurea Magistrale in Ingegneria Elettronica dell’Università degli studi di Messina per il biennio 2013/2014.
• È membro del Gruppo AQ (Assessment of Quality) del Corso di Laurea in Ingegneria Elettronica e Informatica dal 2015 ad oggi.
• È stata invitata come Session Chair alla conferenza internazionale I2MTC 2012.
• È stata membro del International Conference Advisory Committee per la conferenza UPoN (Unsolved Problems on Noise) 2018.
• È stata Coordinatore Didattico della Scuola di Eccellenza sul tema "Cyber physical systems in medicine: Engineering at the service of life -cyel", tenutasi nel luglio 2019 presso l’Università degli Studi di Messina.
• È membro della Editorial Board per la rivista Applied Sciences, MDPI.
• È membro dell’Editorial Advisory Board della rivista AIP Review of Scientific Instruments (RSI).
• È Editor della Topical Collection “Instrumentation, Noise, Reliability” per la rivista Electronics, MDPI.

 
 
Associazioni ed afferenze:
IEEE; IEEE IMS (Instrumentation and Measurement Society); SIE (Società Italiana di Elettronica).