Il gruppo di Spintronica dell’Università degli studi di Messina coordinata dal prof. Giovanni Finocchio, afferente al dipartimento MIFT, all’interno di un consorzio formato dalla Nortwestern University (USA) e dal Fert Beijing Research Institute (Cina), ha sviluppato e dimostrato delle soluzioni scalabili utilizzabili come “building block” per la prossima generazione di memorie spintroniche basate sui materiali antiferromagnetici e ferrimagnetici. Le memorie spintroniche ad oggi sono una tecnologia commerciale già adottata da Samsung, IBM, etc (https://www.mram-info.com/). I risultati della ricerca svolta in parte nell’ateneo peloritano sono stati pubblicati in due articoli sulla rivista Nature Communications. Il primo (scaricabile al link https://www.nature.com/articles/s41467-021-24237-y) ha sviluppato una strategia per identificare lo switching magnetico da quello dovuto alla migrazione ionica in antiferromagnetici, materiali che hanno dinamiche nella frequenza dei THz, mentre il secondo (https://rdcu.be/cp3ol), che ha come autore anche il premio Nobel per la Fisica 2007 prof. Albert Fert, ha dimostrato per la prima volta in ferromagneti lo switching in assenza di campo magnetico grazie ad un nuove meccanismo dinamico per la rottura della simmetria dello stato magnetico all’equilibrio. Questo studio oltre ad avere un impatto immediato nello sviluppo di memorie ha una ricaduta nel campo biomedicale in quanto i materiali sviluppati per la memoria possono essere utilizzati per lo sviluppo di sensori biomedici.

Le attività svolte presso l’università di Messina sono state implementate dal dott. Luis Sanchez Tejerina, assegnista di ricerca su un progetto finanziato dall’Università di Messina stessa con un assegno di ricerca di tipo A multidisciplinare tra i dipartimenti MIFT e BIOMORF, e dalla prof. Francesca Garescì afferente al dipartimento di Ingegneria.