Obiettivi Formativi

Fornire conoscenze su: Struttura e funzionamento dei transistor – FET e MOSFET – Strutture C-MOS – Tecnologie di processo (crescita strati sottili, trattamento, passivazione, ricoperture,..)

Learning Goals

Provide knowledge of: architecture and operation of the transistor - FET and MOSFET - C-MOS structures - Process technologies (thin film growth, treatment, passivation, coatings, ..)

Metodi didattici

Lezioni frontali con esercitazioni

Teaching Methods

Lectures and tutorial

Prerequisiti

conoscenze di base di Fisica Generale e Chimica Generale ed Inorganica

Prerequisites

basic knowledge of Physics I and II and Inorganic Chemistry

Verifiche dell'apprendimento

Esami orali

Assessment

oral examination

Programma del Corso

Cenni di Fisica moderna – Fotoni e onde di materia, atomi, solidi • Semiconduttori: proprietà elettroniche – Struttura cristallina, bande di energia, densità degli stati – Livello di Fermi, elettroni e buche, concentrazione di portatori • Trasporto elettrico – conducibilità elettrica, mobilità, diffusione – generazione-ricombinazione • Giunzioni e interfacce – giunzione p-n, diodo, caratteristiche corrente-tensione – giunzione metallo-semiconduttore • Dispositivi a semiconduttore – bipolari: transistor a giunzione (BJT) – unipolari: transistor a effetto campo (MESFET, MOSFET) • Cenni di Tecnologia di crescita e realizzazione di dispositivi a semiconduttori

Course Syllabus

Introduction to Modern Physics - Photons and matter waves, atoms, solid • Semiconductors: electronic properties - Crystal structure, energy bands, density of states - Fermi level, electron and holes, carrier concentration • Electric Transport - Electrical conductivity, mobility, diffusion - Generation-recombination • Joints and interfaces - Pn junction, diode, current-voltage characteristics - Metal-semiconductor • Semiconductor - Bipolar junction transistor (BJT) - Unipolar: field effect transistors (MESFET, MOSFET) • Introduction to technology growth and development of semiconductor devices