Offerta Didattica
FISICA
FISICA DELLE NANOTECNOLOGIE
Classe di corso: LM-17 - Fisica
AA: 2015/2016
Sedi: MESSINA
SSD | TAF | tipologia | frequenza | moduli |
---|---|---|---|---|
FIS/03 | Caratterizzante | Libera | Libera | No |
CFU | CFU LEZ | CFU LAB | CFU ESE | ORE | ORE LEZ | ORE LAB | ORE ESE |
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7 | 7 | 0 | 0 | 56 | 56 | 0 | 0 |
LegendaCFU: n. crediti dell’insegnamento CFU LEZ: n. cfu di lezione in aula CFU LAB: n. cfu di laboratorio CFU ESE: n. cfu di esercitazione FREQUENZA:Libera/Obbligatoria MODULI:SI - L'insegnamento prevede la suddivisione in moduli, NO - non sono previsti moduli ORE: n. ore programmate ORE LEZ: n. ore programmate di lezione in aula ORE LAB: n. ore programmate di laboratorio ORE ESE: n. ore programmate di esercitazione SSD:sigla del settore scientifico disciplinare dell’insegnamento TAF:sigla della tipologia di attività formativa TIPOLOGIA:LEZ - lezioni frontali, ESE - esercitazioni, LAB - laboratorio
Obiettivi Formativi
Approfondire le conoscenze sugli aspetti fisici di base delle nanotecnologie, sulle tecniche di preparazione di nanostrutture e dei materiali nanostrutturati, sulle tecniche necessarie alla loro caratterizzazione ed alla manipolazione con particolare riferimento alle tecniche di microscopia a scansione a sonda.Learning Goals
Metodi didattici
Lezioni con esercitazioniTeaching Methods
Prerequisiti
Conoscenze di base di fisica della materia, ottica, meccanica quantistica.Prerequisites
Verifiche dell'apprendimento
Valutazione prove in itinere e colloquio oraleAssessment
Programma del Corso
Aspetti fisici di base delle nanotecnologie: definizioni, motivazioni e concetti fondamentali. Tecnologie per la fabbricazione: tecniche fisiche e chimico-fisiche (MBE, MO-MBE, sputtering, PLAD, PE-CVD, LPE, deposizione da fase liquida e sol-gel, auto assemblaggio molecolare). Tecniche di microscopia: microscopia ottica convenzionale e confocale, microscopia elettronica SEM e TEM, microanalisi, litografia EBL, SCALPEL e FIB. Litografia ottica e tecnologia del resist, limite di diffrazione e strategie per superarlo. Tecniche di microscopia a scansione a sonda: AFM, FFM, EFM, STM, SNOM; litografie a scansione di sonda; cenni sulla nanolitografia ottica di materiali fotoattivi . Proprietà ottiche di sistemi a bassa dimensionalità. Plasmoni di superficie in nano particelle metalliche,confinamento quantico in semiconduttori. Proprietà di trasporto in sistemi a bassa dimensionalità; effetto Hall quantistico, magnetoresistenza gigante. Singole nanostrutture: tecniche per la produzione di nanofili e nanotubi; proprietà fisiche ed applicazioni dei nanotubi di carbonio (morfologia, struttura, proprietà elettroniche). Proprietà ottiche ed elettroniche di sistemi molecolari. Dispositivi per l'optoelettronica basati sui materiali organici.Course Syllabus
Testi di riferimento: - G. Timp. Nanotechnology, Spinger-Verlag (1999).
- C.P. Poole Jr and F. Owens, Introduction to nanotechnology, Wiley (2003).
- B. Bushan (ed.), Springer Handbook of nano-technology, Springer (2004).
- J.M. Tour, Molecular Electronics, World Scientific (2003).
- J.Y. Ying (ed.), Nanostructured materials, Academic Press (2001).
- D. Brandon and W.D. Kaplan, Micrsotructural characterization of materials, Wiley (1999).
- F. Bassani, U.M. Grassano, Fisica dello Stato Solido, Bollati Boringhieri (2000).
- R. Waser (ed.), Nanoelectronics and information technology, Wiley-VCH (2003).
- P.N. Prasad, Nanophotonics, Wiley-Interscience (2004).
- M.J. Madou, Fundamentals of microfabrication, CRC Press (1997).
- R. Wiesendanger, Scanning Probe Microscopy: analytical methods (Nanoscience and Technology), Springer-
Verlag (1998).
Esami: Elenco degli appelli
Elenco delle unità didattiche costituenti l'insegnamento
FISICA DELLE NANOTECNOLOGIE
Docente: SALVATORE PATANE'
Orario di Ricevimento - SALVATORE PATANE'
Giorno | Ora inizio | Ora fine | Luogo |
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Lunedì | 09:00 | 11:00 | Ufficio sito al primo piano blocco D ex Fcoltà di Scienze, Dipartimento MIFT |
Mercoledì | 09:00 | 11:00 | Ufficio sito al primo piano blocco D ex Fcoltà di Scienze, Dipartimento MIFT |
Note: