Offerta Didattica
PHYSICS
MICRO-OPTO ELECTRONIC DEVICES
Classe di corso: LM-17 - Fisica
AA: 2022/2023
Sedi: MESSINA
SSD | TAF | tipologia | frequenza | moduli |
---|---|---|---|---|
FIS/01, , | Caratterizzante, Affine/Integrativa | Libera | Libera | No |
CFU | CFU LEZ | CFU LAB | CFU ESE | ORE | ORE LEZ | ORE LAB | ORE ESE |
---|---|---|---|---|---|---|---|
6 | 4 | 0 | 4 | 48 | 24 | 0 | 24 |
LegendaCFU: n. crediti dell’insegnamento CFU LEZ: n. cfu di lezione in aula CFU LAB: n. cfu di laboratorio CFU ESE: n. cfu di esercitazione FREQUENZA:Libera/Obbligatoria MODULI:SI - L'insegnamento prevede la suddivisione in moduli, NO - non sono previsti moduli ORE: n. ore programmate ORE LEZ: n. ore programmate di lezione in aula ORE LAB: n. ore programmate di laboratorio ORE ESE: n. ore programmate di esercitazione SSD:sigla del settore scientifico disciplinare dell’insegnamento TAF:sigla della tipologia di attività formativa TIPOLOGIA:LEZ - lezioni frontali, ESE - esercitazioni, LAB - laboratorio
Obiettivi Formativi
Il corso si propone di fornire i concetti di base per la comprensione del funzionamento dei principali dispositivi micro-optoelettronici utilizzati nelle applicazioni elettroniche. In particolare saranno trattati i seguenti argomenti: • Dispositivi microelettronici: a giunzione pn, transistor (BJT, FET, MOSFET) • Proprietà optoelettroniche dei semiconduttori Apparecchi optoelettronici: guide d'onda, diodi emettitori di luce, dispositivi ad emissione stimolata, fotorilevatori e sensori d'immagine, dispositivi fotovoltaici Dispositivi ottici non lineariLearning Goals
Metodi didattici
Teaching Methods
Prerequisiti
Conoscenze sugli argomenti trattati nel primo anno del corso di laurea.Prerequisites
Verifiche dell'apprendimento
Assessment
Programma del Corso
Proprietà fisiche dei materiali semiconduttori: proprietà strutturali - struttura a bande elettroniche - trasporto elettrico - proprietà ottiche. Dispositivi a diodo: dispositivi unipolari e bipolari - struttura e funzionamento – caratteristiche tensione-corrente – diodi speciali (varactor, varistore, Zener) – diodi ad eterogiunzione. Dispositivi a transistor: Transistor bipolare BJT – struttura e funzionamento – modello Ebers-Moll – caratteristiche tensione-corrente – transistor bipolare ad eterogiunzione HBT – caratteristiche statiche ed a microonde - transistor ad effetto campo FET – dispositivi a giunzione JFET, MESFET – dispositivi MOSFET – dispositivi a eterogiunzione – transitor a film sottile. Optoelettronica: Rivelatori di radiazione fotovoltaici e fotoconduttori – fotodiodi – celle solari – processi radiativi – diodi LED – Laser a semiconduttori – propagazione guidata di radiazione mediante fibre ottiche – Amplificatori ottici a semiconduttore. Esperimenti di laboratorio su: Caratteristiche elettriche di dispositivi a giunzione unipolari e bipolari – Misure optoelettroniche con sorgenti LED e diodi laser, fotodiodi e sistemi a fibra ottica.Course Syllabus
Testi di riferimento: Consigliati:
- Sze, Kwok,Ng "Physics of Semiconductor Devices" (4th ed., Wiley 2021)
- M. Grundmann, “The Physics of Semiconductors” 3rd ed. (Springer 2016)
- Kasap, “Optoelectronics and Photonics”, Ed. Pearson 2013
- Appunti e diapositive forniti dal docente
Esami: Elenco degli appelli
Elenco delle unità didattiche costituenti l'insegnamento
Docente: FORTUNATO NERI
Orario di Ricevimento - FORTUNATO NERI
Giorno | Ora inizio | Ora fine | Luogo |
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Lunedì | 15:00 | 17:00 | Dip.to MIFT (Scienze Matematiche eInformatiche, Scienze Fisiche e Scienze della Terra) c/o Edificio A, I piano, corpo D. stanza A1-D1-1 |
Mercoledì | 15:00 | 17:00 | Dip.to MIFT (Scienze Matematiche eInformatiche, Scienze Fisiche e Scienze della Terra) c/o Edificio A, I piano, corpo D. stanza A1-D1-1 |
Note: E' preferibile inviare una mail di richiesta