Offerta Didattica

 

INGEGNERIA ELETTRONICA E INFORMATICA

ELETTRONICA DELLE MICROONDE I

Classe di corso: L-8 - Ingegneria dell'informazione
AA: 2018/2019
Sedi: MESSINA
SSDTAFtipologiafrequenzamoduli
ING-INF/01Affine/IntegrativaLiberaLiberaNo
CFUCFU LEZCFU LABCFU ESEOREORE LEZORE LABORE ESE
64.501.56036024
Legenda
CFU: n. crediti dell’insegnamento
CFU LEZ: n. cfu di lezione in aula
CFU LAB: n. cfu di laboratorio
CFU ESE: n. cfu di esercitazione
FREQUENZA:Libera/Obbligatoria
MODULI:SI - L'insegnamento prevede la suddivisione in moduli, NO - non sono previsti moduli
ORE: n. ore programmate
ORE LEZ: n. ore programmate di lezione in aula
ORE LAB: n. ore programmate di laboratorio
ORE ESE: n. ore programmate di esercitazione
SSD:sigla del settore scientifico disciplinare dell’insegnamento
TAF:sigla della tipologia di attività formativa
TIPOLOGIA:LEZ - lezioni frontali, ESE - esercitazioni, LAB - laboratorio

Obiettivi Formativi

Fornire le conoscenze sulle prestazioni e l'utilizzo dei dispositivi avanzati a microonde. Fornire le conoscenze di base sui criteri di progettazione di semplici circuiti planari a microonde. Fornire le conoscenze di base sulle procedure di caratterizzazione a piccolo segnale di dispositivi e circuiti a microonde.

Metodi didattici

Lezioni frontali con materiale didattico in formato elettronico preparato dal docente, consultazione di data sheet di componenti e strumenti, esercitazioni numeriche, pratica di analisi e progettazione con CAD Microwave Office NI-AWR.

Prerequisiti

Conoscenze di base di Elettronica I, Dispositivi Elettronici, Elettromagnetismo.

Verifiche dell'apprendimento

Prove in itinere scritte riguardanti la parte teorica degli argomenti. Esperienze di simulazione di modelli circuitali di dispositivi. Esperienze di progettazione assistita da calcolatore di amplificatori lineari a microonde.

Programma del Corso

Propagazione guidata: Linee di trasmissione planari. Analisi e dimensionamento di linee a microstriscia. Substrati e laminati, datasheet. Cavo coassiale e connettori per applicazioni a microonde. Utilizzo di NI-AWR Microwave Office per il progetto e l’analisi di sistemi in microstriscia. Caratterizzazione lineare a microonde: Parametri di scattering. Analizzatore di reti vettoriale. Antenne per applicazioni a microonde. Componenti attivi per microonde: Confronto Si vs. GaAs. Dispositivi in GaAs: MESFET, HEMT, HEMT pseudomorfici e metamorfici. Materiali a grande band-gap: SiC, GaN. SiC MESFET, GaN HEMT. Modelli circuitali equivalenti lineari di MESFET ed HEMT. Analisi di modelli circuitali con software NI-AWR. Cifra e parametri di rumore a microonde: Il rumore nei dispositivi a semiconduttore e la sua schematizzazione circuitale. Definizione di cifra e temperatura equivalente di rumore. Parametri di rumore e parametri di guadagno. Stadi rumorosi in cascata. Modelli di rumore per FET a microonde. Misura di cifra di rumore con fattore Y. Determinazione dei parametri di rumore. Analisi di modelli circuitali di rumore con software NI-AWR. Cenni sui criteri di progettazione di amplificatori a microonde: Progetti di amplificatori a microonde: definizione di guadagno disponibile, di trasduzione e di potenza. Stabilità di un biporta. Adattamento simultaneo coniugato. Progettazione di filtri a microonde con elementi concentrati. Elementi di compatibilità elettromagnetica.

Testi di riferimento: Appunti multimediali a cura del docente. G. Ghione, M. Pirola, “Elettronica delle Microonde”, OTTO Ed. Torino, 2002. David M. Pozar, "Microwave Engineering", John Wiley & Sons Ed.

Elenco delle unità didattiche costituenti l'insegnamento

ELETTRONICA DELLE MICROONDE I

Docente: ALINA CADDEMI

Orario di Ricevimento - ALINA CADDEMI

GiornoOra inizioOra fineLuogo
Lunedì 15:30 17:00Presso ufficio del docente Blocco B, Piano 6°
Mercoledì 15:30 17:00Presso ufficio del docente Blocco B, Piano 6°
Note: E' possibile contattare il docente via e-mail per accordi su ricevimento in giorni e orari differenti
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