Offerta Didattica

INGEGNERIA ELETTRONICA E INFORMATICA

DISPOSITIVI ELETTRONICI

Classe di corso: L-8 - Ingegneria dell'informazione

AA: 2017/2018

Sedi: MESSINA

SSD	TAF	tipologia	frequenza	moduli
ING-INF/01	Affine/Integrativa	Libera	Libera	No

CFU	CFU LEZ	CFU LAB	CFU ESE	ORE	ORE LEZ	ORE LAB	ORE ESE
6	4.5	0	1.5	60	36	0	24

Legenda
CFU: n. crediti dell’insegnamento
CFU LEZ: n. cfu di lezione in aula
CFU LAB: n. cfu di laboratorio
CFU ESE: n. cfu di esercitazione
FREQUENZA:Libera/Obbligatoria
MODULI:SI - L'insegnamento prevede la suddivisione in moduli, NO - non sono previsti moduli
ORE: n. ore programmate
ORE LEZ: n. ore programmate di lezione in aula
ORE LAB: n. ore programmate di laboratorio
ORE ESE: n. ore programmate di esercitazione
SSD:sigla del settore scientifico disciplinare dell’insegnamento
TAF:sigla della tipologia di attività formativa
TIPOLOGIA:LEZ - lezioni frontali, ESE - esercitazioni, LAB - laboratorio

Obiettivi Formativi
Learning Goals

Obiettivi Formativi

Analisi delle proprietà fisico/elettriche e capacità di dimensionamento dei principali dispositivi elettronici a semiconduttore

Learning Goals

Analysis of the physical/electrical properties and dimensioning of main semiconductor electronic devices

Metodi didattici
Teaching Methods

Metodi didattici

Lezioni di teoria ed esercitazioni supportate dall'uso di simulatori di dispositivi a semiconduttore

Teaching Methods

Lectures based on theory and exercises supported by the use of semiconductor device simulators

Prerequisiti
Prerequisites

Prerequisiti

concetti di base di elettrostatica

Prerequisites

concepts of electrostatics

Verifiche dell'apprendimento
Assessment

Verifiche dell'apprendimento

Prova orale (anche in itinere)

Assessment

Oral exam

Programma del Corso
Course Syllabus

Programma del Corso

Teoria generale sui semiconduttori; diodo a giunzione pn; giunzione metallo-semiconduttore; transistore bipolare; transistori MOSFET a canale lungo e a canale corto; scaling e dispositivi futuri; memorie a semiconduttore MOS

Course Syllabus

General theory on semiconductors; pn junction diode; metal-semincoductor diode; bipolar transistor; long and short channel MOSFET; scaling and future devices; MOS semiconductor memories

Testi di riferimento: “Dispositivi per la Microelettronica”, G. Ghione, Mc Graw Hill.

Esami: Elenco degli appelli

Elenco delle unità didattiche costituenti l'insegnamento

DISPOSITIVI ELETTRONICI

Docente: GINO GIUSI

Orario di Ricevimento - GINO GIUSI

Giorno	Ora inizio	Ora fine	Luogo
Lunedì	15:00	17:00	ufficio (blocco B, piano n.6, stanza 642)
Venerdì	15:00	17:00	ufficio (blocco B, piano n.6, stanza 642)

Note: